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Nome di prodotto: | ULTIMO substrato | Dimensione: | 10*10*1mm |
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Polacco: | ssp o dsp | metodo di crescita: | Czochralski |
Densità: | 6,74 g/cm3 | Durezza: | 6,5 Mohs |
Punto di fusione: | ℃ 1840 | Parametri della grata: | a= 3.868A |
Costante dielettrica: | ε = 22 | ||
Evidenziare: | 10*10*1mm singolo Crystal Substrate,Substrato ottico del film sottile,ULTIMO substrato di 10*10*1mm |
Gli ULTIMI a cristallo si sviluppano con il metodo di Czochralski e tipicamente sono utilizzati come substrato per la crescita epitassiale dei film sottili nei dispositivi ferroelettrici ed ad alta temperatura del superconduttore. Si pensa che sostituisca il substrato dell'alluminato del lantanio (LaAlO3) e del titanato dello stronzio (SrTiO3), che è usato per i film sottili dell'ossido epitassiale per i dispositivi ferro-elettronici e superconduttivi magnetici.
Crystal Structure | Cubico | Lucidatura | Singolo lato/doppio lato |
Densità | 6,74 g/cm3 | Orientamento | <100><110><111> |
Durezza | 6,5 Mohs | Dimensione | 10*10*0.5 millimetro, 20*20*0.5 millimetro |
Parametri della grata | a= 3.868A | 10*10*1 millimetro, 20*20*1mm | |
Punto di fusione | ℃ 1840 | Ra: | ≤5Å (5µm×5µm) |
Nuovo indirizzo il bordo | 2° (speciale in 1°) | Su misura | La dimensione e l'orientamento speciali sono disponibili per la richiesta |
Persona di contatto: Chen Dongdong
Telefono: +86 18326013523
Fax: 86-551-63840588
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