Dettagli:
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Nome di prodotto: | Q-commutatore di LGS | Formula chimica: | La3Ga5SiQ14 |
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Punto di fusione: | °C 1470 | Densità: | 5.75g/cm3 |
Indice di rifrazione: | 1,89 | Deliquescenza: | Nessun |
Resistività: | 1.7×1010 Ω·cm | Struttura di cristallo: | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å |
Gamma della trasparenza: | 242-3200nm | Coefficienti elettroottici: | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V |
Evidenziare: | La3Ga5SiO14 commutatore della cella di Pockels Q,Commutatore di LGS Crystal Pockels Cell Q,Commutatore di cristallo di LGS Q |
Il cristallo di LGS (La3Ga5SiO14) è un materiale otticamente non lineare con un'alta soglia di danno, un alto coefficiente elettro-ottico e una prestazione elettro-ottica eccellente. Il valore elettro-ottico di coefficiente rimane stabile in una cella di Pockels elettroottica del Q-commutatore di ampia serie della temperatura range.LGS (EO) è un nuovo genere di Q-commutatore di EO, che è progettato per mezzo di un cristallo La3Ga5SiQ14 (LGS). L'a cristallo di LGS è un genere otticamente di materiale con una soglia di danno molto alta (circa 9 volte che di LN), il coefficiente eccellente di E-O, la stabilità ad alta temperatura.
Proprietà principali:
Formula chimica | La3Ga5SiQ14 | |
Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
Densità | 5,75 g/cm3 | |
Punto di fusione | °C 1470 | |
Gamma della trasparenza | 242 - 3200 nanometro | |
Indice di rifrazione | 1,89 | |
Coefficienti elettroottici | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
Resistività | 1.7×1010 Ω·cm | |
Deliquescenza | Nessun | |
Coefficienti di espansione termica | α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-asse); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-asse) |
Persona di contatto: Chen Dongdong
Telefono: +86 18326013523
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