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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | Q-commutatore di LGS EO | Crystal Material: | Langasite |
|---|---|---|---|
| Densità: | 5,75 g/cm3 | Punto di fusione: | °C 1470 |
| Indice di rifrazione: | 1,89 | Deliquescenza: | Nessun |
| Resistività: | 1.7×1010 Ω·cm | struttura: | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å |
| Evidenziare: | Elettro commutatore ottico di EO Q,Commutatore di EO Q della cella di Pockels,Commutatore delle cellule Q di Pockel |
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Alta cella di Pockels elettroottica del Q-commutatore della soglia di danno (EO) per i sistemi laser
Il cristallo di LGS ha una vasta gamma di applicazioni: Oltre all'effetto piezoelettrico ed all'effetto di rotazione ottica, la sua prestazione elettroottica di effetto è inoltre molto superiore. L'alto tasso di ripetizione, la grande chiara apertura a sezione trasversale, la larghezza di impulso stretta, l'alto potere, il livello e la bassa temperatura, i commutatori elettroottici di cristallo ecc. LGS Q sono applicabili. Usiamo il coefficiente elettroottico γ11 del cristallo di LGS per fare i Q-commutatori e scegliere un più grande allungamento per ridurre la tensione a semi onda dei Q-commutatori. Può applicarsi alla Q-commutazione elettroottica dei laser dello tutto solido stato con i tassi di ripetizione di più alto potere.
| Formula chimica | La3Ga5SiQ14 | |
| Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
| Densità | 5,75 g/cm3 | |
| Punto di fusione | °C 1470 | |
| Gamma della trasparenza | 242 - 3200 nanometro | |
| Indice di rifrazione | 1,89 | |
| Coefficienti elettroottici | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
| Resistività | 1.7×1010 Ω·cm | |
| Deliquescenza | Nessun | |
| Coefficienti di espansione termica | α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-asse); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-asse) | |
Dettagli del prodotto:
Persona di contatto: Zheng
Telefono: +86 18255496761
Fax: 86-551-63840588
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