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Dettagli:
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| Formula chimica: | Ce: Gd3Al2Ga3O12 | metodo di crescita: | Czochralski |
|---|---|---|---|
| Densità: | 6.63g/cm3 | Punto di fusione: | 1850℃ |
| Rendimento leggero: | >50000 (fotoni/MeV) | Picco dell'emissione: | 520 nanometro |
| Risoluzione energetica: | <6> | Igroscopico: | NO |
| Evidenziare: | monocristallo di 520nm GAGG,Ce: Gd3Al2Ga3O12,Monocristallo di scintillazione GAGG |
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Ce: Il cristallo di GAGG ha le caratteristiche di alta densità, di trasmissione alta, di grande efficace numero atomico, di alto rendimento leggero, di tempo di decadimento veloce, di buona risoluzione in energia e delle proprietà fisiche e chimiche stabili. Rispetto ai materiali di cristallo della scintillazione tradizionale, la prestazione completa è più eccellente ed il prezzo ed i vantaggi ambientali sono estremamente elevati. Ha una vasta gamma di applicazioni nei campi dell'attrezzatura medica da PET/CT e da CT, dell'ispezione della sicurezza, della fisica delle alte energie, della fisica nucleare, ecc.
| Proprietà | Valore |
|---|---|
| Formula chimica | Ce: Al2 GA3 O12 di Gd3 |
| Numero atomico (efficace) | 54,4 |
| Metodo di crescita | Czochralski |
| Densità | 6.63g/cm3 |
| Durezza di Mohs | 8 |
| Punto di fusione | 1850℃ |
| Coefficienti di espansione termica. | TBA x un ⁶ di 10 ‾ |
Persona di contatto: Zheng
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