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Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric

Certificazione
La Cina ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificazioni
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Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric

Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric
Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric

Grande immagine :  Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Crystro
Certificazione: ROHS
Numero di modello: 1LGS30*30*0.3-B
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: Scatola pulita trasparente
Tempi di consegna: 4 settimane
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100 pc alla settimana
Descrizione di prodotto dettagliata
Formula chimica: La3Ga5SiO14 Dimensione: 30*30*0.3mm
Polacco: singolo lato Orientamento: (0.138,5, 117)
Metodo di crescita: Czochralski Durezza: 6,6 Moh
Densità: 5,754 g/cm3 Crystal Structure: Sistema Trigonal
Evidenziare:

Monocristallo La3Ga5SiO14

,

Cristallo Trigonal del sistema Piezoelecrictric

,

Wafer Trigonal del sistema LGS


 

Introduzione:

L'a cristallo del silicato del gallio del lantanio si riferisce a come LGS, che è un genere di cristallo multifunzionale con la prestazione eccellente. Le costanti elastiche e piezoelettriche del dielettrico, degli a cristallo di LGS sono significativamente superiori a quelle di quarzo ed il coefficiente di coppia elettromeccanico è 2 - 3 volte quello di quarzo. Può essere usato per fabbricare l'onda acustica di superficie (SEGA) ed i dispositivi in serie dell'onda acustica (BAW). Allo stesso tempo, i cristalli di LGS possono essere usati per fare i commutatori elettro-ottici di Q e l'effetto è comparabile ai commutatori di cristallo di DKDP Q. I dispositivi che usando il cristallo come il materiale tutto di LGS hanno più alta stabilità termica.

 

Vantaggi principali:

  • Il coefficiente di coppia elettromeccanico è (3-4 volte di quarzo)
  • Alta stabilità termica
  • Il rapporto di resistenza equivalente basso di serie

 

Proprietà materiali:

Crystal Structure sistema regionale, a= 8,1783 del gruppo 33 C = 5,1014
Metodo di crescita Czochralski
Durezza 6,6 Moh
Densità 5,754 g/cm3
Punto della colata o 1470 C (punto di transizione di fase: N/A)
Espansione termica (x10-6/Oc) α 11: 5,10 α 33: 3,61
Velocità acustica, SEGA 2400 (m/sec)
Costante di frequenza, BAW 1380 (kHz/mm)
Accoppiamento piezoelettrico K2 (%) BAW: 2,21 SEGA: 0,3
Costante dielettrica ε11/ε0=18.27   ε33/ε0=56.26
Costante di sforzo piezoelettrico d11=6.3 d14=5.4
Inclusioni N0

 

 

Dettagli del prodotto:

Wafer del monocristallo LGS di La3Ga5SiO14 Piezoelecrictric 0

 

 

Dettagli di contatto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona di contatto: Chen Dongdong

Telefono: +86 18326013523

Fax: 86-551-63840588

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