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Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità

Certificazione
La Cina ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificazioni
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Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità

Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità
Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità

Grande immagine :  Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: Crystro
Certificazione: ROHS
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1pcs
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: Scatola pulita trasparente
Tempi di consegna: 3-4 settimane
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100 PCS alla settimana
Descrizione di prodotto dettagliata
Formula chimica: ₃ di LiTaO Temperatura di curie: 603±2℃
Costante della grata: a=5.154Å, c=13.783Å Gamma di trasmissione: 400-5000nm
400-5000nm: R33=30.4 Dimensione: 4", 6" Boule o wafer
Verniciatura: Nessuna verniciatura o con il Fe Orientamento: Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta
Polacco: Singoli/doppi lati
Evidenziare:

Cristallo del Tantalate del litio del grado della SEGA

,

Cristallo di LT Wafer Lithium Tantalate

,

Alto LT Wafer di conducibilità


L'alta conducibilità HA VISTO Nero-LT wafer del grado per i dispositivi di Wave acustico di superficie (SEGA)

Alto LT Wafer del nero del grado della SEGA di conducibilità

 

Introduzione:

 


Il Tantalate del litio è uno dei materiali più versatili. LiTaO3 ha numerose applicazioni compresi i modulatori elettro-ottici, rivelatori pyroelectric, guide d'onda ottiche, substrati della SEGA e trasduttori piezoelettrici dovuto le proprietà elettro-ottiche, pyroelectric, piezoelettriche ed acustiche uniche, un'ampia gamma della trasparenza e un'alta soglia di danno ottica combinata con la buona stabilità chimica e meccanica.

 

 

Vantaggi:

  • Alta soglia di danno ottica
  • Ampia gamma della trasparenza
  • Ampia applicazione

 

Proprietà materiali:

 

Crystal Structure

Trigonal

Costante della grata

a=5.154Å, c=13.783Å

Densità

7.45g/cm3

Punto di fusione

1650℃

Punto di curie

603±2℃

Durezza di Mohs

5.5-6 Mohs

Conducibilità termica

1015wm

Indici di rifrazione

n0=2.176 ne=2.180 @ 633mn

E-O Coefficient

R33=30.4

Gamma di trasmissione

400-5000nm

Coefficiente di Pyroelectric

2.3×10-7 C/cm2/K

Fattore elettromeccanico della coppia

R15≥0.3

Coefficiente di espansione termica

a1=a2=1.61×10-6/℃, a3=4.1×10-6/℃

Costante dielettrica

es11/eo: 39~43, es33/eo: 42~43; et11/eo: 51~54, et33/eo: 43~46

 

Crystro offre:

Dimensione

4", 6" Boule o grado acustico o ottico del wafer,

Verniciatura

Nessuna verniciatura o con il Fe

Lunghezza di Boule

≥50mm

Spessore del wafer

Spessore 0,25, 0,35, 0,50 (millimetri)

Orientamento

Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta

Processo di superficie

Singolo/doppio polacco dei lati

TTV

< 10="">

ARCO

± (25µm ~40um)

Filo di ordito

≤35µm

Larghezza piana

32.0±2.0 (millimetro) o su richiesta

Rugosità

Ra≤10Å

Smusso

° di 0.1mm@45 del ≤

 

 

Immagine:

Dispositivi neri di LT Wafer For Surface Wave acustico di alta conducibilità 0

Dettagli di contatto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona di contatto: Chen Dongdong

Telefono: +86 18326013523

Fax: 86-551-63840588

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