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Alto singolo cristallo di Crystal Wafer SGGG di conducibilità termica di perdita ottica bassa

Certificazione
La Cina ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificazioni
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Alto singolo cristallo di Crystal Wafer SGGG di conducibilità termica di perdita ottica bassa

Alto singolo cristallo di Crystal Wafer SGGG di conducibilità termica di perdita ottica bassa
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Grande immagine :  Alto singolo cristallo di Crystal Wafer SGGG di conducibilità termica di perdita ottica bassa

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: Crystro
Certificazione: SGS
Numero di modello: CRSGGG-8
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Scatola pulita trasparente
Tempi di consegna: 3-4 settimane
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100 pc alla settimana
Descrizione di prodotto dettagliata
NOME: Cristallo di SGGG Densità: 7.09g/cm3
Durezza di Mohs: 7,5 Punto di fusione: 1730℃
Parametro di Lattic: a=12.497Å Indice di rifrazione: 1,954 a 1064nm
Dimensione: Diametro 40 millimetri Polacco: ssp o dsp
Evidenziare:

Cristallo ottico basso di perdita SGGG

,

Alto cristallo di conducibilità termica SGGG

,

Singolo Crystal Wafer SGGG


 

 

Alta conducibilità termica SGGG singolo Crystal Wafer di perdita ottica bassa

 

 

Introduzione:

 

SGGG e GGG sono usati come substrati per l'epitassia liquida. I cristalli sostituiti del granato del gallio del gadolinio (SGGG) con calcio, magnesio e zirconio come sostituzione degli ioni sono stati usati come substrati per i film epitassiali bismuto-sostituiti del granato di ferro.

 

 

Vantaggi principali:

  • Perdita ottica bassa
  • Alta conducibilità termica
  • L'alta soglia di danno del laser

 

 

Proprietà principali:

 

Nome GGG sostituito
Crystal Structure Cubico
Parametro della grata a=12.497Å
Metodo di crescita Czochralski
Densità 7.09g/cm3
Durezza di Mohs 7,5
Punto di fusione 1730℃
Indice di rifrazione 1,954 a 1064nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CRYSTRO offre:

 

Dimensione MAX Dia 4 pollici
Spessore 0.5mm/1mm
Lucidatura Lato singolo o doppio
Orientamento <111>±0.2°
Accuratezza di orientamento del bordo 2° (speciale in 1°)
Taglio La dimensione e l'orientamento speciali sono disponibili su richiesta
Ra ≤1nm
Pacchetto
100 borsa pulita, borsa pulita 1000

 

Alto singolo cristallo di Crystal Wafer SGGG di conducibilità termica di perdita ottica bassa 0

Dettagli di contatto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona di contatto: Zheng

Telefono: +86 18255496761

Fax: 86-551-63840588

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